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IXFR55N50F中文资料

  • 大小:499.75KB
  • 厂家:IXYS [IXYS Corporation]
  • 描述:HiPerRF Power MOSFETs F-Class: MegaHertz Switching
  • 制造商:IXYS
  • 晶体管极性:N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压:500 V
  • 闸/源击穿电压:+/- 20 V
  • 漏极连续电流:45 A
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.09 Ohms
  • 配置:Single
  • 最大工作温度:+ 150 C
  • 安装风格:SMD/SMT
  • 封装 / 箱体:ISOPLUS 247
  • 封装:Tube
  • 下降时间:9.6 ns
  • 最小工作温度:- 55 C
  • 功率耗散:400 W
  • 上升时间:20 ns
  • 工厂包装数量:30
  • 典型关闭延迟时间:45 ns

IXFR55N50F供应商

更新时间:2023-01-06 04:36:15
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